半导体模块

半导体器件原理级仿真分析

半导体模块

晶体管运行:施加的栅极电压使器件导通,并决定漏极饱和电流。

MOSFET、MESFET 和肖特基二极管

半导体模块使您可以在最基础的物理场层级详细分析半导体器件的运行状态。该模块基于漂移-扩散方程,包含等温或非等温传递模型。它可用于仿真一系列实际器件——包括双极、金属半导体场效应晶体管 (MESFET)、金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)、肖特基二极管、晶闸管和 P-N 结等。

多物理场效应通常会对半导体器件的性能产生重要影响。半导体加工通常在高温下进行,因此可能会在材料中产生应力。此外,高功率器件会产生大量的热。半导体模块支持在 COMSOL 平台上进行半导体器件级仿真,使您可以简便地创建用户定义的多种物理模型。此外,软件非常透明,您随时可以修正模型方程,完全自由地定义模块中未预定义的现象。

Breakdown in a MOSFET

DC Characteristics of a MOS Transistor (MOSFET)

P-N Junction Benchmark Model

Caughey-Thomas Mobility in a Semiconductor

Lombardi Surface Mobility in a Semiconductor

Bipolar Transistor

Heterojunction Benchmark

P-N Junction Diode with External Circuit