RF 模块

新 App:狭缝耦合微带贴片天线阵列合成器

许多行业都使用微带贴片天线阵列作为雷达及 RF 信号机的收发器,它也是 5G 移动网络系统的一种主要备选天线。

狭缝耦合微带贴片天线阵列合成器 App 模拟了一个在多层低温共烧陶瓷(LTCC)基底上制造的单插槽微带贴片天线。您可以利用这个 App 来模拟天线阵列的远场辐射方位图及指向。远场辐射方位图可用阵列因子和单个天线的辐射方向相乘得到,因此无需模拟复杂的完整阵列模型即可求得等效的远场近似。

您也可以用该 App 估算 5G 移动网络相位天线阵列模型,缺省输入频率为 30Hz,支持更改其中的天线性能参数,例如几何尺寸和基底材料。

App 中还提供了一个显示选项,可选择宽屏幕或窄屏幕显示。

狭缝耦合微带贴片天线阵列合成器 App 的用户界面,图中为 12x12 的虚拟阵列, 所示为电场分布和三维远场辐射方向图。 狭缝耦合微带贴片天线阵列合成器 App 的用户界面,图中为 12x12 的虚拟阵列, 所示为电场分布和三维远场辐射方向图。

狭缝耦合微带贴片天线阵列合成器 App 的用户界面,图中为 12x12 的虚拟阵列, 所示为电场分布和三维远场辐射方向图。

新 App:频率选择面模拟器

频率选择面 (FSS) 具有周期性结构,能够形成带通或带阻的频率响应。它们用于滤除或阻挡无线电频率、微波或者任何电磁波频率。例如微波炉门上就有频率选择面,您可以透过它观察食物加热过程而不烫伤自己。

频率选择面模拟器 App 可以让用户模拟从内置单元类型中选定的周期性结构。其中提供了五种常用的 FSS 仿真的单元类型,预置了两个垂直于传播方向极化,入射方向沿 FSS 法向。分析结果包括反射和透射谱、单元顶面上的电场模,以及在单元域的垂直截面上的分贝 (dB) 电场模。

App 中您可以调整偏振方向、中心频率、带宽、频率数、基底厚度及其材料性能、单元类型(圆形、环形、开口环等等)及它们的几何尺寸,包括周期性(单元尺寸)。

频率选择面模拟器的用户界面,图中为 10x10 开口环的虚拟阵列。 频率选择面模拟器的用户界面,图中为 10x10 开口环的虚拟阵列。

频率选择面模拟器的用户界面,图中为 10x10 开口环的虚拟阵列。

Smith 图:匹配性能的传统显示方式

新增 Smith 绘图组支持您在 Smith 网格上绘制阻抗、导纳和反射系数。Smith 图非常有助于将复值 S 参数(反射系数)关联至天线、传输线及其他网络组件的输入阻抗和导纳。在缺省生成 S 参数绘图的研究中,会自动生成 Smith 图。

共面波导 (CPW) 带通滤波器的 Smith 图,其中比色刻度尺表示仿真频率,显示了滤波器在 7.65 GHz 的匹配阻抗为 50 欧姆。 共面波导 (CPW) 带通滤波器的 Smith 图,其中比色刻度尺表示仿真频率,显示了滤波器在 7.65 GHz 的匹配阻抗为 50 欧姆。

共面波导 (CPW) 带通滤波器的 Smith 图,其中比色刻度尺表示仿真频率,显示了滤波器在 7.65 GHz 的匹配阻抗为 50 欧姆。

改进有损耗介质区域的物理场控制网格

物理场控制网格可用于有损耗电磁介质,并能自动根据损耗域边界的集肤深度调节单元尺寸。勾选损耗介质中的 解析波 后,损耗介质域的外部边界在自由空间进行网格剖分时,其最大单元尺寸取集肤深度的 1/2 或真空中波长的 1/5 中的最小值。

圆形损耗介质的外部边界采用更细化网格,由以下材料参数获得集肤深度:1 GHz 的损耗角正切和耗散因子(ε' = 1.2,tanδ = 3.5)。 圆形损耗介质的外部边界采用更细化网格,由以下材料参数获得集肤深度:1 GHz 的损耗角正切和耗散因子(ε' = 1.2,tanδ = 3.5)。

圆形损耗介质的外部边界采用更细化网格,由以下材料参数获得集肤深度:1 GHz 的损耗角正切和耗散因子(ε' = 1.2,tanδ = 3.5)。

多单元均匀集总端口

COMSOL Multiphysics 5.2 版本新增一个集总端口类型,多单元均匀 端口。这个集总端口类型可以用于多激励或多终端,例如共面波导的端口或者微分端口。每个端口的子单元中的场方向在 均匀单元 子节点定义,而均匀单元终端之间的方向 ah 定义了电势的极性。

新模型: 共面波导 (CPW) 带通滤波器

共面波导 (CPW) 带通滤波器可以用叉指电容器 (IDC) 和短路短截线电感 (SSI) 设计制造。这是一种非常高效的带通滤波器生产方法,很容易在 GaAs 晶片上制造生产。

共面波导带通滤波器教学模型展示了一个与谐振频率紧密相关的设计,并且它的品质因子 Q 比电容耦合微带线模型设计更高。App 中用到了 COMSOL Multiphysics 的多单元均匀集总端口,以便同等激励或终止各个端口的每个单元。

在 200 mm GaAs 晶片上由叉指电容器和短路截线电感组成的共面波导带通滤波器。 在 200 mm GaAs 晶片上由叉指电容器和短路截线电感组成的共面波导带通滤波器。

在 200 mm GaAs 晶片上由叉指电容器和短路截线电感组成的共面波导带通滤波器。

"边界模式,频域稳态"和"边界模式,频域瞬态"研究序列

在波动光学模块的 激光加热 和 RF 模块的微波加热多物理场接口中,模型向导增加了一些新的研究序列。边界模式,频域稳态 研究序列增加了边界模式分析 研究步骤和频域稳态 研究步骤。边界模式,频域瞬态 研究序列增加了边界模式分析 研究步骤和频域瞬态 研究步骤。边界模式分析 研究步骤用于求解电磁接口下数字端口的模场。频域稳态频域瞬态 研究步骤在固体传热接口中进行稳态和瞬态分析,在波动光学与 RF 接口中使用频域分析。

瞬态散射边界条件的初始值设定

在瞬态仿真的 散射 边界条件设定中,新增 入射波初始值 栏,可用于设定入射波的磁矢势初始值。注意:该项在缺省状态下并不可见。当入射波由电场定义时,用户可以指定入射波的磁矢势初始值。当入射波由磁场定义时,用户可以指定入射波的磁矢势初始值或磁矢势时间导数的初始值。该设置使得用户可定义被求解磁矢势的确切波形。