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Semiconductor Modulex

PIN 二极管中的辐射效应 中文

本教学案例分别对 PIN 二极管对恒定辐射和脉冲辐射的响应进行稳态和瞬态分析。辐射效应被模拟为器件内电子-空穴对在空间上的均匀生成。在高剂量率下,所产生电荷的分离导致内部电场的降阶和过量载流子的长期储存 ... 扩展阅读

MOSFET 迁移率模型 中文

本模型展示了如何在已有的简单 MOSFET 案例模型中,添加多个链接的迁移率模型。 扩展阅读

求解氢原子 中文

有关本模型的描述,请参阅我们随附的博客文章“COMSOL Multiphysics® 可以求解氢原子问题吗?”。 扩展阅读

MOSCAP 一维模型 中文

金属-氧化物-硅 (MOS) 结构是许多硅平面器件的基本构建块,其电容测量法可以帮助用户深入了解此类器件的工作原理。本教学案例构建了一个简单的 MOS 电容器 (MOSCAP) 一维模型,计算低频和高频 C-V 曲线。 扩展阅读

均匀磁场中的硅量子点 中文

此教学案例基于 Jock 等人关于自旋轨道量子位的论文,求解均匀磁场中简单硅量子点本征态的双分量薛定谔方程。使用“薛定谔方程”接口的内置域条件“洛伦兹力”来解释矢势对动力动量的贡献,并利用内置的域条件“零阶哈密顿 ... 扩展阅读

超晶格带隙工具 中文

“超晶格带隙工具”模型有助于设计由两种交替半导体材料(超晶格)构成的周期性结构。此模型采用有效质量薛定谔方程来估计给定超晶格结构中的电子和空穴基态能级。器件工程技术人员可以使用此模型快速计算给定周期结构的有效带隙 ... 扩展阅读

浮栅 EEPROM 器件的编程过程 中文

此模型计算浮栅“电可擦除可编程只读存储器”(EEPROM) 器件的电流和电荷特性。稳态研究针对两种不同电荷存储量计算电流-电压曲线随控制栅压的变化,从而演示改变存储在浮栅上的电荷的效果 ... 扩展阅读

纳米线 MOSFET 的密度梯度三维仿真 中文

本例中的纳米线 MOSFET 三维模型使用密度梯度理论在传统的漂移-扩散公式中引入量子限域效应,而不需要过高的计算成本。其中使用几何域对氧化层进行显式模拟,并通过专用的边界条件来分析氧化硅界面的量子限域 ... 扩展阅读

沟槽栅 IGBT 三维模型 中文

在这个由两部分组成的示例的后半部分,我们通过扩展前半部分的二维模型来构建沟槽栅 IGBT 三维模型。与二维模型不同的是,现在可以像在真实设备中一样,沿拉伸方向交替排列 n+ 和 p+ 发射极 ... 扩展阅读

MOSFET 小信号分析 中文

本模型展示了如何计算 MOSFET 的交流特性,根据漏极电流计算了器件的输出电导和跨导。 扩展阅读