使用等离子体模块的表面化学反应教程

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表面化学反应通常是反应流建模中被忽视的方面。这个教学案例演示如何将表面反应和物质添加到化学气相沉积 (CVD) 这类研究过程中,随后模拟硅在晶片上的生长。

最初,使用全局模型来研究包含复杂化学物质的广泛参数区域。然后,建立空间相关模型并运行,仔细分析系统中的总体质量平衡,同时研究质量平均速度与扩散速度之间的差异。模型表明系统中的总质量和摩尔浓度保持守恒。最后,研究了沉积硅的高度随时间变化的情况。

案例中展示的此类问题通常可通过以下产品建模: